本文指出：最近，Vishay Intertechnology，Inc。宣布它将推出新的Gen 4.5 650 V E系列Power Mosfet --- SIHK050N65E，它为通信，工业和计算应用提供了高效率和高功率密度。 Vishay Siliconix N-Channel SIHK050N65E高压输入所需的低压，直接到最新的高科技设备服务器，计算侧和超级计算机； DE - 电动驱动器和电池充电器。 SIHK050N65E基于Vishay的最新能源效率E系列电子系列，能够达到标准的低电阻，抗性为0.048Ω至10V，适用于6kW以上的高功率应用。同时，650 V设备故障电压达到了另外的50 V，使其在200和277个VAC之间稳定在输入电压范围内，并符合开放计算项目的开放机架V3（ORV3）标准。此外，MOSFET门的超低电荷仅为78 nc，提供了3.74 W*nc的良好FOM值，这对于减少和转移损失，进一步节能和提高效率很重要。它允许该设备满足服务器电源中特定的钛效率要求，或达到96％的峰值效率。为了优化硬开关拓扑的运动，例如PFC电路和双切换馈电设计，MOSFET最近发布的MOSFET的有效输出容量量低，CO（ER）为167 PF和CO（TR），为1119 pf。该设备以阻力乘以CO（ER）的FOM进入了新的低8.0行业。 w*pf。 SIHK050N65E可在PowerPak®10x 12包装中使用，并配备了开尔文连接，以减少门噪声，同时改善DV/DT安全性。 MOSFET遵循ROHS和无卤素，该卤素是专门设计的，可在雪崩模式下承受过度电压的瞬变，而100％UIS测试保证了其极限。 SIHK050N65E提供样品并实现大规模制造。有关供应周期的信息，请联系您当地的销售办公室。
