KIOXIA样品BICS9 512GB TLC NAND：与BICS5 120层堆叠和3.

7月25日的Home报道说，基奥克西亚今天宣布基于第九代BICS Flash 3D闪存技术发布512GB TLC芯片，并计划在2025财政年度内实现该模型的大规模生产（IT主页注：2026年4月）。 This BICS9 TLC is a key step in the kioxia dual-track there is a process approach to the process: by importing CBA technology, kioxia decomposes the manufacture of Nand Memory Cell Arrays and peripheral CMOS circuit, after BICS8, Kioxia will explore higher stacking and larger capacity by bics10 and bics9 and bics9 and bics9 and bics9 and bics9 and bics9 and bics9 and BICS9和BICS9和BICS9和BICS9，基于现有阵列过程并更新外围芯片，实现了出色的成本效应。 BICS9家族范围略微基于112层BICS5或218层BICS8。但是，此时Kioxia的TLC NAND示例称为120层BICS5，这必须是IS型变体之一。与之前的162层相比BICS6 512GB TLC，新的BICS9 512GB TLC的阅读绩效提高了12％，写作表现提高了61％，阅读效率提高了27％，写作效率提高了36％。它按平面尺度提高了位密度8％，并支持3.6GB/s的接口速率（演示中最高为4.8GB/s）。氯欧说，BICS9 512GB TLC旨在支持需要高性能和卓越能源效率的应用程序，并将用于中等和中等的存储容量，并将用于Kioxia的固态驱动器驱动器。